克日有新闻传出，三星与长江存储就3D NAND混杂键合技巧告竣了专利允许协定。依据协定内容，从第十代V-NAND（V10）开端，三星将采取长江存储的专利技巧，尤其是在“混杂键合”技巧范畴开展配合。据悉，三星打算于2025年下半年开端量产下一代V10 NAND产物，其重叠层数估计将到达420至430层。但是，跟着重叠层数冲破400层，底层外围电路将蒙受更年夜的压力，进而影响芯片的牢靠性跟机能表示。为处理这一成绩，三星决议在V10 NAND中引入晶圆到晶圆（W2W）混杂键合技巧。该技巧经由过程直接贴合两片晶圆，无需传统凸点衔接，从而无效收缩电气门路，晋升机能跟散热才能，同时优化出产效力。值得留神的是，早在四年前，长江存储就曾经率先将混杂键合技巧利用于3D NAND制作，并为其定名“晶栈（Xtacking）”，同时缭绕该技巧构建了片面的专利规划。现在，控制3D NAND混杂键合要害技巧专利的重要企业包含美国某公司、长江存储以及中国台湾的一家芯片制作商。在此配景下，三星多少乎无奈绕开长江存储的专利壁垒。因而，三星终极抉择经由过程专利受权的方法与长江存储告竣配合，以躲避潜伏的执法跟市场危险，同时放慢技巧研发过程。别的，业内子士流露，另一家国际存储巨子也在开辟实用于400层以上NAND产物的混杂键合技巧，将来可能同样须要与长江存储签订专利受权协定。业内子士还指出，在三星后续的V10、V11、V12等NAND产物开辟进程中，仍有可能持续依附长江存储的专利技巧支撑。这一配合标记着长江存储在寰球3D NAND技巧范畴的主要位置进一步晋升，同时也凸显了混杂键合技巧在将来高层数NAND产物中的要害感化。