韩国三星电子的第六代10纳米级1c DRAM制程开辟进度呈现耽误，估计实现时光从2024年岁尾推迟至2025年6月。这一延期象征着原打算于2025年下半年量产的高频宽存储器（HBM4）也面对不断定性。据市场人士流露，三星打算在将来六个月内将良率晋升至约70%。但是，自2022年12月三星开辟出第五代10纳米级1b DRAM制程并发布量产以来，对于1c DRAM的停顿始终未有明白新闻。此次1c DRAM制程的耽误不只影响了其中心产物DDR5内存的量产时光，也涉及了高频宽存储器（HBM）的开辟。假如1c DRAM的量产推迟至2025岁尾，HBM的量产时光可能会在2025年之后，这与三星此前打算在2025年下半年量产HBM4的目的相悖，进而影响三星在HBM市场的竞争力。韩国半导体工业人士表现，三星正在修正1c DRAM制程技巧的局部计划，以尽快告竣量产目的。但是，是否在预约时光内实现量产仍存在不断定性。